国家知识产权局毛金生:LED产业如何规避专利风险

2009-12-30 11:03

　　二、请您简单介绍一下我国LED芯片技术领域专利的状况？

　　毛金生：对于芯片技术的专利申请，在1998年以前，申请量一直较为稳定，呈波动变化趋势，从1999年开始申请量逐步增长，是芯片技术的初步期，到2002年之后专利申请量快速增长，在这段期间，为了提高芯片的出光效率，使其能够广泛应用于普通照明，很多公司都加大了对芯片技术的研究力度，因此也涌现出大量的核心专利。从技术分支组成上来看，各主要申请人对LED芯片领域的研究主要集中在电极、微结构以及芯片反射层技术，其中对于电极的设计和改进是各申请最为关注的芯片技术。从技术分支来看，国外在华的LED芯片技术领域专利申请包括多个方面的技术组成；主要技术为电极、微结构、反射层、衬底剥离键合、芯片外形、划片技术。在LED芯片技术领域，电极的制造和设计以及微结构是主要的研究方向，其次为反射层和衬底剥离键合技术，这两种技术也是近年来的研究热点。

　　国内芯片技术逐步发展，但国内申请人技术力量较为薄弱，在中国申请的半导体照明LED芯片相关技术专利，年申请量一直在稳步上升，在2003年的时候大量增加，正处于发展较为成熟的阶段。其中国外在华申请的申请人国家和地区中，申请量较大的国家和地区主要为日本、美国、欧洲、中国大陆、韩国、德国和中国台湾。国内申请人在芯片技术领域的技术分支的发展较为全面，但存在较大的专利风险。

　　三、我国LED照明技术的专利风险状况表现在哪几个方面？

　　毛金生：核心专利主要集中在日亚化工（日本）、欧司朗（德国）、克里（美国）、通用电气（美国）、丰田合成（日本）和三星（韩国）等大公司手中，国内申请多为外围专利，其保护范围落在国外专利保护范围之内，其保护范围落在国外专利保护范围之内，由于有超过一半的核心专利在我国获得授权，因此国内企业存在很大的专利风险。

　　国内仅个别企业在某一技术细节上绕开或突破国内核心专利的围堵，例如北京有研稀土在荧光粉方面有个别专利通过技术特征的改变而绕开核心专利；晶能公司在缓冲层技术上拥有自主知识产权，但是在其他技术分支仍存在较大的风险。