国际照明巨头如何看待新一代照明发展趋势

2010-11-22 10:52

　2010年11月10日，在与创能及节能元件展会“Green Device 2010”同时进行的研讨会“Green Device 论坛2010”上，举行了照明用LED、有机EL以及半导体激光器等固体光源技术研讨会“新一代照明论坛”。固体光源领域的国内外厂商从发光效率、亮度、寿命、演色性、面光源化以及点光源化五点出发，介绍了最新进展。

一、白色LED的高效率化、高功率化和长寿命化

　　日本飞利浦流明公司（Philips Lumileds Lighting）的神山博幸以白色LED的高效率化为中心，对相关技术的未来进行了展望。据神山博幸介绍，按照普通白色LED发光效率的提高速度来看，将会在近几年内超过200lm/W。虽然灯泡色LED在发光效率方面逊色于普通的白色LED，但目前已经达到90～100lm/W，不久就将超过200lm/W。今后，还需要在高电流密度下实现同样级别的高效率。具体做法是减少电流密度越高反而发光效率越低的“衰退（Droop）”现象。

　　日本飞利浦流明为解决这一课题，正在改变白色LED及灯泡色LED的光源——蓝色LED芯片的构造。虽然具体细节没有公布，但已经在蓝色LED芯片发光区域的量子井层和隔断层的界面附近，采用了防止电子或者空穴蓄积的层构造，使电子和空穴易于再次结合。这样，1mm见方芯片的外部量子效率在通入350mA电流时可达65.5％，通入1A电流时的效率也可高达59％。

　　通过上述方法以及降低顺向电压技术等，希望将来在1mm见方芯片中电流密度为2A/mm2时的发光效率能够达到150lm/W，光通量能够达到1000lm。这就需要将内部量子效率提高到80％（目前为53％），外部量子效率提高到72％（目前为47％），荧光体的转换效率提高到252lm/Wopt（目前为228 lm/Wopt）。

　　日本欧司朗光电半导体公司（Osram Opto Semiconductors GmbH）的Michael Schmitt也介绍了降低衰退现象的高输出功率白色LED技术。这是一项名为“UX:3”的将n电极设在LED内部的技术。使电流在芯片内部均匀地通过，从而控制电流密度，提高效率。另外，通过取消芯片表面的电极，使芯片内部的光更容易向芯片外部放出。

　　该公司透露了向1mm见方的芯片通入电流时光输出功率的特性。与随着电流的增大光输出功率呈线形上升的理想特性（没有衰退现象）相比，通入电流在350mA～1A范围时的光输出功率比理想特性低15％左右。

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