技术突破：LED芯片抗反向静电能力达到3 kV
2011-07-02 10:51
来源：
OFweek半导体照明网
氧等离子处理更好的效果是在p-GaN中建立了氮真空，以便为旁路二极管构建一个虚拟的pn结面。
70W功率的ICP能将n极接触电阻提高至56.1x10-3\Ohm-cm2；这是由等离子处理后p-GaN面上的圆形输电线结构决定的。ICP功率越小，n极接触电阻越小。
降低泄漏电流的另一个方法是减少3齿梳状而不是5齿梳状结构的n极接触面。从而将接触面积从300μm2降低至180μm2。
LED照明标准规范中规定商业应用的LED最大反向漏电流为50μA/ –5V；而研究过程中等离子处理后3齿梳状LED的旁路二极管的泄漏电流在0.02至0.21μA之间，符合规范中规定的标准。研究人员相信他们能通过优化等离子处理和梳状接触面来进一步降低反向和正向泄露电流。
图2：LED-C以及LED-F3-P的（a）正向和（b）反向ESD特征。
ESD特征是通过ESS-606A ESD测试仪测试出来的；该测试仪能根据人体模型发出脉冲。在每次测试之后，-5V的漏电性能被测试出来；如果发现与原始性能之间有30%的差距，那么该设备“Failed”（图2）。传统二极管在300V至500V电压之间的负偏压显示“Failed”，那么延长的3齿梳状n极等离子器件仅在3kV时显示“Failed”。这种正偏压结果被研究人员视为“无法识别”。
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