给力LED:征服LED之不得不看的重要概念(二)
紫外LED
发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途……
发射紫外光的二极管。一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途，以及与荧光体组合发出可视光的LED等用途。例如将红色、绿色和蓝色荧光体与紫外LED组合，可获得白色LED。
紫外LED主要采用GaN类半导体。产品方面，日亚化学工业上市了发光中心波长从365nm～385nm不等的品种，Nitride Semiconductor上市了发光中心波长为355nm～375nm不等的品种。
日亚化学工业2002年发布的紫外LED
LED芯片的尺寸为1mm×1mm，为普通LED的10倍，而且收纳于具有金属封装内。
波长不足300nm的深紫外LED的开发活动也很活跃。2008年理化学研究所和松下电工曾公布，采用GaN类半导体的InAlGaN开发出了发光中心波长为282nm，光输出功率为10mW的深紫外LED。波长更短的深紫外LED方面，NTT物性科学基础研究所采用AlN材料开发出了发光中心波长为210nm的深紫外LED。
红外LED
发射红外光线的二极管。一般指发光中心波长超过700nm的LED。多用作遥控器和红外线通信的光源、测距传感器光源、光电耦合器光源以及打印机机头的光源等。红外LED使用AlGaAsP等GaAs类半导体材料。
红外LED的正向电压约为1.5V。与红色LED的2V以上和蓝色LED的3V以上相比要低。
红外LED的历史悠久。1962年就发现了利用以GaAs为代表的III-Ⅴ族化合物半导体的pn结可放射出相当于红外光的电磁波的现象。
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