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OFweek总结:LED产业的发展趋势

  高热传导挠曲基板在绝缘层黏贴金属箔,虽然基本结构则与传统挠曲基板完全相同,不过绝缘层采用软质环氧树脂充填高热传导性无机填充物的材料,具有与硬质金属系封装基板同等级8W/mK的热传导性,同时兼具柔软可挠曲、高热传导特性与高可靠性。此外可挠曲基板还可以依照客户需求,将单面单层面板设计成单面双层、双面双层结构。

  高热传导挠曲基板的主要特征是可以设置高发热元件,并作三次元组装,亦即可以发挥自由弯曲特性,进而获得高组装空间利用率。

  根据实验结果显示使用高热传导挠曲基板时,LED的温度约降低100C,此意味温度造成LED使用寿命的降低可望获得改善。事实上除了高功率LED之外,高热传导挠曲基板还可以设置其它高功率半导体元件,适用于局促空间或是高密度封装等要求高散热等领域。

  有关类似照明用LED模块的散热特性,单靠封装基板往往无法满足实际需求,因此基板周边材料的配合变得非常重要,例如配合3W/mK的热传导性膜片,可以有效提高LED模块的散热性与组装作业性。

  3,陶瓷封装基板对热歪斜非常有利

  如上所述白光LED的发热随著投入电力强度的增加持续上升,LED芯片的温升会造成光输出降低,因此LED封装结构与使用材料的检讨非常重要。以往LED使用低热传导率树脂封装,被视为影响散热特性的原因之一,因此最近几年逐渐改用高热传导陶瓷,或是设有金属板的树脂封装结构。LED芯片高功率化常用方式分别包括了:LED芯片大型化、改善LED芯片发光效率、采用高取光效率封装,以及大电流化等等。

   虽然提高电流发光量会呈比例增加,不过LED芯片的发热量也会随著上升。因为在高输入领域放射照度呈现饱和与衰减现象,这种现象主要是LED芯片发热所造成,因此LED芯片高功率化时,首先必须解决散热问题。

  LED的封装除了保护内部LED芯片之外,还兼具LED芯片与外部作电气连接、散热等功能。LED封装要求LED芯片产生的光线可以高效率取至外部,因此封装必须具备高强度、高绝缘性、高热传导性与高反射性,令人感到意外的是陶瓷几乎网罗上述所有特性,此外陶瓷耐热性与耐光线劣化性也比树脂优秀。

  4,传统高散热封装是将LED芯片设置在基板上

  属基板上周围再包覆树脂,然而这种封装方式的金属热膨胀系数与LED芯片差异相当大,当温度变化非常大或是封装作业不当时极易产生热歪斜,进而引发芯片瑕疵或是发光效率降低。

  未来LED芯片面临大型化发展时,热歪斜问题势必变成无法忽视的困扰,针对上述问题,具备接近LED芯片的热膨胀系数的陶瓷,可说是对热歪斜对策非常有利的材料。

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