OFweek总结：LED产业的发展趋势

2011-11-19 10:23

　　高热传导挠曲基板在绝缘层黏贴金属箔，虽然基本结构则与传统挠曲基板完全相同，不过绝缘层采用软质环氧树脂充填高热传导性无机填充物的材料，具有与硬质金属系封装基板同等级8W/mK的热传导性，同时兼具柔软可挠曲、高热传导特性与高可靠性。此外可挠曲基板还可以依照客户需求，将单面单层面板设计成单面双层、双面双层结构。

　　高热传导挠曲基板的主要特征是可以设置高发热元件，并作三次元组装，亦即可以发挥自由弯曲特性，进而获得高组装空间利用率。

　　根据实验结果显示使用高热传导挠曲基板时，LED的温度约降低100C，此意味温度造成LED使用寿命的降低可望获得改善。事实上除了高功率LED之外，高热传导挠曲基板还可以设置其它高功率半导体元件，适用于局促空间或是高密度封装等要求高散热等领域。

　　有关类似照明用LED模块的散热特性，单靠封装基板往往无法满足实际需求，因此基板周边材料的配合变得非常重要，例如配合3W/mK的热传导性膜片，可以有效提高LED模块的散热性与组装作业性。

　　３，陶瓷封装基板对热歪斜非常有利

　　如上所述白光LED的发热随著投入电力强度的增加持续上升，LED芯片的温升会造成光输出降低，因此LED封装结构与使用材料的检讨非常重要。以往LED使用低热传导率树脂封装，被视为影响散热特性的原因之一，因此最近几年逐渐改用高热传导陶瓷，或是设有金属板的树脂封装结构。LED芯片高功率化常用方式分别包括了：LED芯片大型化、改善LED芯片发光效率、采用高取光效率封装，以及大电流化等等。

　　虽然提高电流发光量会呈比例增加，不过LED芯片的发热量也会随著上升。因为在高输入领域放射照度呈现饱和与衰减现象，这种现象主要是LED芯片发热所造成，因此LED芯片高功率化时，首先必须解决散热问题。

　　LED的封装除了保护内部LED芯片之外，还兼具LED芯片与外部作电气连接、散热等功能。LED封装要求LED芯片产生的光线可以高效率取至外部，因此封装必须具备高强度、高绝缘性、高热传导性与高反射性，令人感到意外的是陶瓷几乎网罗上述所有特性，此外陶瓷耐热性与耐光线劣化性也比树脂优秀。

　　４，传统高散热封装是将LED芯片设置在基板上

　　属基板上周围再包覆树脂，然而这种封装方式的金属热膨胀系数与LED芯片差异相当大，当温度变化非常大或是封装作业不当时极易产生热歪斜，进而引发芯片瑕疵或是发光效率降低。

　　未来LED芯片面临大型化发展时，热歪斜问题势必变成无法忽视的困扰，针对上述问题，具备接近LED芯片的热膨胀系数的陶瓷，可说是对热歪斜对策非常有利的材料。