Plessey计划在英国工厂制造高亮度LED

2012-02-08 15:38

　　OFweek半导体照明网2012年2月8日消息，英国仅存的几家半导体制造商之一普莱思半导体(Plessey)准备开始生产高亮度LED，制造中将采用剑桥大学所研究的一项备受关注的技术。

　　Plessey在英国Plymouth拥有一家6英寸晶圆厂，并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司CamGaN。通过这项交易，Plessey获得了CamGaN公司与硅基氮化镓(GaN-on-silicon) LED磊晶片(epi wafer)制造相关的知识产权，且CamGaN的三名员工将开始为Plessey工作。

　　Plessey市场部经理Derek Rye表示，在过去18个月，Plessey一直与剑桥团队合作，剑桥大学从事硅基氮化镓技术研究的Colin Humphreys教授将继续担任顾问。

　　现阶段尚不确定Plessey将在这个极具竞争力的高亮度LED市场推出什么样的产品，Rye认为已加工的硅片、裸片和LED器件都有可能。现在可以确定的是，Plessey打算购入大量金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器，用于在自己的工厂大规模生产磊晶片。

　　Plessey计划在今年底前生产出白光效率为150流明/瓦的硅基氮化镓LED，其性能将可与传统的蓝宝石衬底或碳化硅衬底LED相媲美。

硅基氮化镓LED

　　Plessey绝不是第一家生产硅基氮化镓LED的企业。中国的晶能光电才是第一家实现硅基氮化镓LED倒桩芯片商业性生产的公司，而上个月欧司朗光电半导体也表示通过与Azzurro半导体的长期合作，已经取得了一些关键性进展，将可以在两年内开始出售硅基LED。

　　硅基LED领域的竞争将会越来越激烈。在近期举行的Photonics West Conference上，德国马格德堡大学的Alois Krost表示，飞利浦和三星这两大行业巨头也纷纷通过各自的LED子公司发展硅基LED业务。

　　Derek Rye指出，剑桥大学研究的这项硅基氮化镓LED技术的主要优势在于采用了一种更薄的半导体层，可以解决芯片结构中硅衬底与活性氮化镓层之间的晶格不匹配问题。

1 2 下一页>