“电子溢流”是LED光衰的根源

2013-08-07 10:07

　　Meyaard表示，他们团队的研究结果显示，在大电流状态下，产生于p型区的电场允许电子逃逸出有源区，从而无法实现与空穴复合，也就无法发光。这种现象叫做溢流，该说法是在5年以前就已经被提出了，但Meyaard表示，他们的团队的研究第一次无可争辩地证明了光束的发生机理。Meyaard表示，他们团队证实在足够强大的电场形成后，电子就逃逸出有源区。

　　“我们测量了电场形成与光衰直径的关联性，”Meyaard表示，“结果清晰证明其发生机理是电子溢流，同时我们还可以量化它。例如，在一个关键报告中，我们展示了大电流注入和光衰情况，从中可以看到它们之间良好关联性。而这在过去是不可能做到的，因为没有原理模型可以描述溢流如何发生作用。”

　　Schubert表示，他们的研究指出，由于电子移动性强于空穴，因此可以将二极管看做是由不同类型的载体组成的。

　　“如果电子和空穴有相似的特性，那么彼此对称；它们会在量子阱所在的中间区相遇，然后复合。我们使用电子比空穴移动性更强的材料系统来替代它，可以发现电子扩散更加容易，也更容易对电场有反应。由于这种不对称性，我们认为电子应该从量子阱穿过(shootover)或从量子阱萃取。那么它们就不会与空穴在有源区相遇，也就不会发光。”

　　Meyaard and Schubert称，基于这种模型，研究团队现在已经把注意力转向了开发新的LED架构上。

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