【盘点】2013年中国LED产业十大技术前沿热点

2013-11-26 00:01

　　4、HVLED由于自身工作电压高，容易实现封装成品工作电压接近市电，提高了驱动电源的转换效率；由于工作电流低，其在成品应用中的线路损耗也将明显低于传统DC功率LED芯片。

　　关键字三：共晶技术

　　另一项在2013年炙手可热的封装技术就是共晶。

　　共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度。

　　共晶焊接技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的控制。如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用纯锡（Sn）或金锡（Au-Sn）等合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的改变提高溶点，令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。共晶层和热沉或基板完全的键合为一体，打破从芯片到基板的散热系统中的热瓶颈，提升LED寿命。

　　虽然此前这项技术就被大厂所采用，不过通常的芯片结构因为是蓝宝石衬底而不能适用共晶技术。但是到2013年伴随非蓝宝石衬底的芯片方案增多，另外加上采用蓝宝石衬底的大功率芯片厂商推出了更多倒装结构的芯片，使得共晶技术成为中国封装厂商提升技术竞争力的选项。因而瑞丰，天电等不少厂商不惜重金购置昂贵的共晶固晶设备。

　　关键词四、覆晶技术

　　覆晶技术指的是由晶片、衬底、凸块形成了一个空间，而电路结构封装在这个空间里面。这样封装出来的芯片具有体积小、性能高、连线短等优点。

　　尽管覆晶技术具备高达19%的年复合成长率，但并非新技术，早在三十年前就由IBM首次引进市场；也因为如此，覆晶封装很容易被视为是一种旧的、较不吸引人的成熟技术。

　　事实上，无论使用哪种封装技术，最终都还是需要凸块(bumping)这个制程阶段。2012年，凸块技术在中段制程领域占据81%的安装产能，约当1，400万片12寸晶圆；晶圆厂装载率同样为高水准，特别是铜柱凸块平台(Cupillarplatform，88%)。

　　在覆晶封装市场规模方面，估计其2012年金额达200亿美元(为中段制程领域的最大市场)，YoleDeveloppement预期该市场将持续以每年9%速度成长，在2018年可达到350亿美元规模。

　　新一代的覆晶封装IC预期将彻底改变市场面貌，并驱动市场对晶圆凸块技术的新需求；Yole Developpement先进封装技术分析师LionelCadix表示：“在3D整合及超越摩尔定律的途径方面，覆晶封装是关键技术之一，并将让晶圆整合实现前所未见的精密系统。”而覆晶封装正随着产业对新式铜柱凸块及微凸块技术的需求而重新塑形，正逐渐成为晶片互连的新主流凸块冶金技术。