英国新型LED路面可提示司机和骑车者

一种新型嵌入LED灯的路面在伦敦揭幕，目的是帮助检测行人，并且警告司机以及自行车手道路上出现的危险。 新的道路由一家名为Umbrellium的公司为保险公司Direct Line开发，并将高清摄像机和LED嵌入路面。

道路上的两台照相机能够记录数百个变量，并检测到十字路口22米范围内的行人或其他道路使用者。信息可以从相机送到电脑，该电脑在不到百分之一秒的时间内做出反应，让LED显示各种颜色和图案。

道路使用机器学习来预测行人运动，为他们创造一个十字路口。道路表面采用可以嵌入沥青的高冲击塑料。根据设计师的要求，塑料表面能够承受很大的交通流量。道路的塑料表面有超过660个LED灯，可编程改变颜色和图案，以便为骑自行车的人或司机提供行人过路警告。

原型道路是防水的，可以保持车辆和人的重量，能够区分人，车辆或自行车之间的差异。

RayVio的UVB LED或用于治疗维生素D缺乏患者

PR Newswire发表在Scientific Reports的研究显示，相比阳光，RayVio的293nm紫外线LED发出的光能够更有效地在皮肤样本中产生维生素D3。在医学博士Michael F． Holick的带领以及波士顿大学医学院和波士顿大学Ignition Award的支持下，Tyler Kalajian和他的研究团队发现，暴露在RayVio紫外线LED下短短0．52分钟的皮肤样本所产生的维生素D3是暴露在阳光下32．5分钟的样本的两倍多。

波士顿大学医学院医学、生理学和生物物理学教授、波士顿医学中心内分泌学家Holick博士表示：“我们测试了不同来源和不同波长的紫外线LED。RayVio的293nm LED在最短的时间内显示了最大的维生素D3生成潜力。这项研究将带来新一代光药理学技术，使用具有特定波长的LED可在人体皮肤中引起特定的生物效应，帮助治疗和预防慢性疾病。”

维生素D缺乏会导致骨质疏松症、佝偻病和其他代谢性骨病，在全年长时间日照有限的北纬和南纬地区较为普遍。这个维生素D产生装置适用于炎症性肠病和胃旁路手术等脂肪吸收不良综合征患者。研究显示RayVio的紫外线LED可用于治疗维生素D缺乏患者。

产生维生素D3的紫外线LED装置可用于较少接触阳光的皮肤部位，如大腿、手臂、腹部和背部，从而最大限度地降低罹患非黑色素瘤皮肤癌的风险。该装置还可以发射更窄波段的UVB（紫外线B），从而降低皮肤暴露于更高波长紫外线辐射时皮肤损伤的可能性。

RayVio首席执行官Robert C． Walker博士表示：“数字紫外线技术在光疗方面的潜力是巨大的。Holick博士对我们UVB LED的研究证明了新应用有望改善和拯救数十万人生命的潜力。仅在美国就有75％的青少年和成年人缺乏维生素D。通过研究团队的努力和波士顿大学光子学中心在紫外线LED方面的开创性工作，我们可能很快就会看到创新治疗方案（如与可穿戴设备整合）可以帮助数百万人。”

照明不靠电 彩虹隧道采用LED自发光技术

9月15日，浙江湖州市205省道天荒坪1号隧道自发光工程完成施工，这是该市首座照明不靠电的“彩虹隧道”，能有力助推公路养护工程更节能、更环保。

“彩虹隧道”采用的是一种可以不用电、自主发光的新材料，新材料被安装在隧道顶部及道壁。这种新材料的发光原理是通过LED电光激发－电光储能－储能自发光－LED电光激发循环工作，每次只需5至15分钟，就能吸收储存自然光、机动车辆及各类灯光光能，不需要任何能源，就能维持12小时发出黄、蓝、绿色等光芒。在天荒坪1号隧道内，还相应设置了自发光照明诱导标识，大面积的彩色条用作警示提醒，道壁上的诱导标识则有利于引导安全行驶。

该自发光技术除具有零能耗和零碳排放的特点外，还能起到救急作用。一旦隧道内发生停电、起火、爆作、崩坍等事故，就可以发挥12小时应急发光诱导作用，为被困人员快速逃生提供诱导指示。

美研发出单片集成三色LED 未来将包含更多颜色组合

基于氮化铟镓技术和现有的制造设施，应变工程可以为微显示器提供一种可行的方法。

基于铟镓氮化物（InGaN）多量子阱的应变工程，美国密歇根大学已经开发出单片集成的琥珀－绿－蓝色LED。该应变工程是通过蚀刻不同直径的纳米柱来实现。

研究人员希望未来能用635nm光致发光的量子阱生产出红－绿－蓝LED，为基于这种像素LED的微显示器提供可行的方法。其他潜在应用包括照明、生物传感器和光遗传学。

除了美国国家科学基金会（NSF）的支持外，三星还为制造和设备设计提供了支持。研究人员希望开发出基于现有制造基础设施的芯片级多色LED平台。

外延材料通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在2英寸无图案蓝宝石上生长。发光有源区域由5个2．5nm InGaN阱组成，由12nm GaN栅极隔开。电子阻挡层和p－接触层分别由20nm的氮化铝镓（p－Al0．2Ga0．8N）和150nm的p－GaN组成。

使用电子束光刻使纳米柱成型，用镍掩模进行混合干湿法蚀刻处理。大部分蚀刻是干的电感耦合等离子体，湿法蚀刻阶段用于实现最终直径，并且去除干法蚀刻步骤中的损害。蚀刻深度约为300nm。在整个制造过程中，保护蚀刻掩模，目的是为了保护p－GaN表面。

在对50nm氮化硅进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）之后，用旋涂式玻璃对结构进行平整，以电隔离n和p－GaN部分。

将平整后的结构进行干式回蚀，以暴露柱的尖端。用硝酸溶液除去镍掩模材料。 p接触的镍／金金属化在空气中进行热退火。

设备的电气性能在5V反向偏压下显示出每像素约3x10－7A的低泄漏。低泄漏归因于两个因素 － 扁平量子阱提供了低电流拥挤效应，以及由应变引发的载流子到纳米柱中心的限制。在较窄的纳米柱中由于更大的电流密度造成的下降效应的风险，可通过减小应变进行改善，因此降低了由于III－氮化物中化学键的电荷极化引起的电场而出现的量子限制“斯塔克效应”。