本文采用2835的封装形式，目标参数为Ra＝80－82，CCT＝3000K，采用相同的封装方案，验证经过强烈破碎处理工艺与正常破碎处理的荧光粉对WLED光输出冷热比的影响，前述两者分别表示为GRF－N和GRF－V。图2．1表示GRF－N和GRF－V的热淬灭性能，可以看出随着温度的升高荧光粉的发光亮度呈现出不断降低的趋势，其中GRF－V的递减幅度比GRF－N要小，说明就荧光粉本身而言，GRF－V的热稳定性要优于GRF－N。

图2．1 GRF－N和GRF－V的热淬灭性能

Fig．2．1 The heat quenching properties of GRF－N and CRF－V

本文对强烈破碎处理工艺与正常破碎处理工艺对WLED光输出冷热比的影响，采用2835的封装形式，目标参数为Ra＝80－82，CCT＝3000K，采用相同的封装方案，验证强烈破碎处理工艺与正常破碎处理对冷热态的影响，图2．2表示后处理工艺的CRF－N和GRF－V的WLED光输出冷热比关系，随着温度的升高成品灯珠光通量的冷热态比值在不断减小，CRF－N和RF－V在成品中的衰减幅度GRF－N较大，CRF－V次之，说明GRF－V的WLED光输出冷热比较好，GRF－N的WLED光输出冷热比较差，因此强烈破碎处理工艺对WLED光输出冷热比存在影响，经过强烈破碎处理工艺的荧光粉相比正常破碎处理工艺的荧光粉的WLED光输出冷热比要差。

图2．2 GRF－V和GRF－N的WLED光输出冷热比的关系

Fig．1．7 specific value of photoelectric parameterson ordinary and high temperature of light output with WLED of GRF－V and GRF－N

4、结论

本文采用SMD 2835的封装形式，采用不同材质的荧光粉、不同离散系数的荧光粉、不同粉胶相容度的荧光粉以及不同形貌的荧光粉作为黄绿粉进行封装实验，可以得出如下结论：采用LUAG材质、小离散系数、较好粉胶相容度、良好颗粒形貌的荧光粉封装的LED光源的光输出冷热比更佳。

因此，荧光粉的物理特性对WLED光输出冷热比存在影响。此研究结论作为粉体管控和优化产品的依据。同时对WLED的产品设计具有理论指导意义和实际的参考价值。

参考文献

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