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碳化硅VS氮化镓,宽禁带半导体材料双雄能否带中国实现弯道超车?

2019-02-10 02:21
来源: 与非网

我国弯道超车的机会来了?

虽然我国宽禁带功率半导体创新发展的时机已经逐步成熟,处于重要窗口期。然而目前行业面临的困难仍然很多,一个产业的发展与两个方面有关:一个是技术层面,另一个重要问题就是产业的生态环境。

目前国内产业的创新链并没有打通,整体创新环境较差。从事宽禁带半导体研发的研究机构、企业单体规模小,资金投入有限,研发创新速度慢,成果转化困难。

然而在宽禁半导体材料方面却有比较乐观的一面,中镓半导体目前已建成国内首家专业的GaN衬底材料生产线,制造出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。2018年2月初,中镓半导体氮化镓衬底量产技术获得重大突破,实现国内首创4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

天域半导体是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。据悉,早在2010年,该公司就与中国科学院半导体所合作成立了“碳化硅技术研究院”。目前,天域半导体可提供6英寸SiC晶圆,以及各种单极、双极型SiC功率器件。

风华高科是一家专业从事新型元器件、电子材料、电子专用设备等电子信息基础产品的高科技上市公司。

第三代宽禁带半导体材料,可以被广泛应用在各个领域,且具备众多的优良性能,可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,故被市场看好的同时,随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。目前,美国、日本、欧洲在第三代半导体SiC、GaN、AlN等技术上拥有绝对的话语权。相比美、日,我国在第三半导体材料上的起步较晚,水平较低,但由于第三代半导体还有很大的发展空间,各国都处于发力阶段,因此被视作一次弯道超车的机会。

总结

我国展开SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚,与国外相比水平比较低。但是随着国家战略层面支持力度的加大,且具有迫切的市场需求,因此我国将有望集中优势力量一举实现技术突破!

路漫漫其修远兮,吾将上下而求索。或许是概括这一行业的最好判语了。

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