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本期，极智课堂邀请到济南金刚石科技有限公司董事长、山东大学教授王笃福带来了题为“金刚石晶体材料生长及应用”的精彩主题分享。

一、人造金刚石概况

金刚石：碳原子以SP3杂化轨道与另外4个碳原子形成共价键，构成正四面体。

1．发展历史

1954年美国通用电气成功在高温、高压条件下合成出人造金刚石，1970年利用温差法生长出克拉级宝石金刚石；

1963年中国首次用静压法合成出人造金刚石；1965年铰链式六面顶压机安装成功；

1985年日本住友电气公司实现克拉级优质金刚石单晶的生产；

1996年戴比尔斯用1000小时合成出25CT优质Ib型金刚石单晶；

1996年美国阿波罗金刚石创始人提出CVD金刚石，2003年推出首饰级CVD金刚石产品；

1998年美国卡内基地质物理实验室开始CVD单晶金刚石合成；2002年元素六公司开始用CVD法生长单晶金刚石；

2014年俄罗斯NDT公司用HPHT法生产出34CT的IIa型金刚石单晶；

2．国内金刚石产业现状

2015年济南金刚石正式产业化生产大尺寸金刚石，单重最大10CT。

2015年中国的金刚石产量超过100亿克拉，占世界总产量的90％以上，但主要是小于1mm的磨料级金刚石，占据产业的最低端市场；

以华晶、黄河、中南为代表的磨料企业，可以生产1．2－1．8mm无色单晶和4＊4mmIb型片状单晶；

目前济南金刚石、中南钻石可以生产10CT以上金刚石单晶体，切片尺寸可以达到10＊10mm，为半导体基础应用研究提供基础条件。

近几年国内CVD单晶生长有了快速发展和进步，上海征世、杭州超然、宁波晶钻等公司生长的金刚石单晶体尺寸可以达到10mm＊10mm以上。

3．半导体应用及研究进展

金刚石单晶材料作为“终极半导体”材料，在高频、高功率半导体器件领域有着巨大应用潜力，目前主要受制于金刚石单晶尺寸太小。

2013年8月日本国家先进工业科技研究所（AIST）和国立材料研究所（NIMS）的科学家们已经成功研制出了耐高压（10Kv）真空电力开关并顺利进行了试验；该技术利用了金刚石半导体材料，目前尚属世界首例，器件体积可缩小到原来的1／10。

2014年5月美国雷神公司使用金刚石替代碳化硅（SiC）作为GaN器件的衬底研制出金刚石基GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），证明金刚石基GaN晶体管功率密度比SiC基GaN器件增加3倍，克服了阻碍氮化镓器件一进步发展的主要障碍。

2014年日本产业技术综合研究所宣布研制出250度高温下5A工作SBD，反向截止电压大于10Kv。

2016年下半年俄罗斯研发出第一台以金刚石为存储器的量子计算机。

2020年美国佐治亚理工学院与日本明星大学和早稻田大学联合开发出“表面激活粘合”（surface－activatedbonding）技术，能够在室温环境下将氮化镓（GaN）等宽禁带材料与金刚石等高导热材料集成，提升器件散热能力，这有可能加快推进金刚石在半导体应用中的产业化。

4．工具类应用－－大尺寸、高硬度

金刚石作为已知最硬的材料，理论上可以加工切削任何材料，制成工具主要用于非铁基合金、石材和陶瓷材料的加工，在车刀、石油钻头、切割工具等领域应用较广泛。全球金刚石工具市场规模超过200亿美元，且应用领域保持20％以上的年增长率。