深圳大学材料学院刘新科：基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
2020-04-28 15:05
中国半导体照明网
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电力电子器件：SBDs
主要创新成果：采用HVPE（Si掺）＋MOCVD混合生长技术，充分利用HVPE技术具有生长速度快（7－8um／hour）和炭元素含量低（约1015cm－3）的显著特点，以及MOCVD生长速度可控和掺杂技术成熟的特点。
HVPE＋MOCVD混合生长技术，以及TiN金属栅极结构的CMOS兼容工艺；在漂移层厚度12um的条件下，实现了击穿电压1200伏 。
主要创新成果：采用HVPE（Ge掺）＋MOCVD混合生长技术，充分利用HVPE技术具有生长速度快（7－8um／hour）和炭元素含量低（约1015cm－3）的显著特点，以及MOCVD生长速度可控和掺杂技术成熟的特点。
具有应力的衬底在生长过程中带来的晶格大小变化，影响材料生长的质量（背景浓度）。HVPE的衬底生长采用Ge掺杂，不仅有利于提高激活率，而且减少应力。用Ge掺杂代替Si掺杂，带来了掺杂浓度高，衬底应力低。器件实现了16ns的反向回复时间。
电力电子器件：PNDs
主要创新成果：采用HVPE＋MOCVD混合生长技术，充分利用HVPE技术具有生长速度快和炭元素含量低（约1015cm－3）的显著特点，以及MOCVD生长速度可控和掺杂技术成熟的特点。
面对大电流和大功率需要，垂直氮化镓PIN器件实现了1．2A的电流开关；
采用金属场板技术，实现了2400伏击穿电压；
在同质外延衬底上，实现大电压和大电流的二极管输出，实现反向恢复时间21ns．
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