刘志宏：面向5G应用的Si基GaN微波毫米波器件技术研究进展
2020-05-12 10:05
中国半导体照明网
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GaN－Si CMOS异质集成方面，有点多方面的需求，比如电子系统小型化、轻型化的持续需求，电子系统减小成本的持续需求；电子系统提高高频性能的持续需求。
CMOS数字（逻辑）电路方面，Si很有优势，比如技术成熟、成本低、功耗低，电路复杂度高、EDA工具成熟等。
但也存在很多技术挑战，比如热兼容性问题，氮化镓微波毫米波电路，发热比较严重，会引起周围Si－CMOS器件的阈值电压漂移、漏电增大等问题；电磁兼容性问题，氮化镓电路工作时的偏压比较大，电场耦合到CMOS区域；射频电路工作时的电磁场分布效应、电磁波辐射；工艺兼容性问题，氮化镓器件制备时的工艺条件，包括金属、温度、应力等对Si－CMOS的器件性能的详细影响；可靠性问题，晶圆键合的界面存在空隙、大量界面态、陷阱中心，可能导致电路的长期可靠性问题。晶圆键合、金属凸块键合的机械强度存在可靠性问题。
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