科普 | 那些隐藏在UVC LED背后的封装技术秘密
2020-05-08 08:57
中国半导体照明网
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经检测计算，在同尺寸LED芯片下，国星UVC LED封装器件空洞率仅为9％，友商UVC LED封装器件空洞率为18％。
热阻实验中，由于国星UVC LED空洞率较低，与友商产品相比，产生的热阻也较低。
在0到480小时内，空洞率对光功率维持率的影响基本没有太大的变化；但从480小时后，国星UVC LED（空洞率9％）的光功率维持率与友商UVC LED（空洞率18％）相比，差距较明显。4000小时，友商UVC LED光功率维持率只剩60％左右，而国星UVC LED光功率维持率降幅较低，4000小时仍维持在80％左右。
通过是上述三个实验，我们得出结论，焊接空洞率越低，散热效果越好，产品寿命越长，品质越好。
值得注意的是，在降低UVC LED产品焊接空洞率上，国星光电已形成了一套较为领先和完善的工艺技术。目前，国星UVC LED产品总体空洞面积在10％以下，单颗最大空洞面积在2％以下，与市面同类产品空洞率15％－30％相比，处于行业领先水平，具有极佳的散热效果、较长的产品寿命以及优秀的产品品控。
降低焊接孔洞率，是做好产品热管理，提高UVC LED寿命的关键一步。接下来，UVC LED技术门槛又有哪些？我们又该怎样解决呢？让我们下期再见。
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