氮化镓
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利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域
近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重复性
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Plessey推新一代硅基氮化镓LED 光效翻倍
国普莱思半导体（Plessey）宣布推出新一代硅基氮化镓LED。型号为PLW114050，目前正在出样，这是Plessey该系列中首款入门级LED照明产品。Plessey提供被锯成晶圆裸片形式的蓝光PLB010050。
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“火力全开” 东芝推二代硅基氮化镓白光LED
东芝电子欧洲近日推出采用硅基氮化镓制程研发的第二代LETERASTM白光LED，相比当下的LED器件，1W TL1F2系列的LED是具有成本竞争优势。
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台湾研究更高光效的近绿光氮化铟镓LED生长转化工艺
台湾国立成功大学已采用氮化铟镓生长工艺开发出近绿光LED，这使得器件峰值外量子效率达到48.6%。该工艺涉及到氮化铟和氮化镓在2秒爆裂(bursts)时的生长转化。
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电子阻挡层和反射层能有效提高氮化物LED光功率
在氮化物LED的p电极下插入二氧化硅/铝多层结构，器件光功率得到明显提高。这里二氧化硅可以改进有源区的电流扩展，降低电流堆积效应，而铝作为放射镜可以降低p电极对光的吸收，增加蓝宝石衬底边光的提取。
氮化物LED，LED芯片，蓝宝石衬底，二氧化硅阻挡层 2011-08-24 -
加研究院宣称发现氮化物基LED光效下降主因
加州大学圣巴巴拉分校的研究院称他们找到了普通照明使用LED技术效率低下的根本原因。他们的发现有助于工程师们开发新一代的高性能，高效能照明解决方案，从而替代现有的白炽灯及荧光灯。
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日本开发出使用氧化镓基板的GaN类LED元件
据日本媒体报道，日本田村制作所与光波公司日前宣布，开发出了使用氧化镓基板的GaN类LED元件，开发的LED元件与以前使用蓝宝石基板的LED元件相比，每单位面积可流过10倍以上的电流。将用于前照灯及投影仪等需要高亮度的用途。
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台湾成功推出全球第1片8吋氮化铝LED基板
采钰科技日前于台北国际照明科技展览中，展出全球第1片8吋晶圆级氮化铝基板制程的LED晶片，不仅是台湾在LED制程发展上的一个重要里程碑，同时亦打破以往由日本垄断LED氮化铝基板市场的局面。
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