氮化镓
氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力。
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士兰微为子公司士兰明镓提供担保
24日,士兰微发布公告称,公司之控股子公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称“士兰明镓”)拟向国家开发银行厦门市分行申请项目贷款人民币3亿元,用于“SiC功率器件生产线建设项目”建设,贷款期限12年。
士兰微 2024-04-26 -
士兰微子公司士兰明镓增资完成
士兰明镓公司正在加快推进“SiC 功率器件生产线建设项目”的建设。目前,士兰明镓公司已具备月产3000片6吋SiC-MOSFET芯片的生产能力,现有产能已满载。士兰明镓正在加快项目设备的购置和安装调试,预计2024年年底将具备月产12,000片6吋SiC芯片的产能。
士兰微 2024-02-04 -
厦门大学研发出275-nm氮化物紫外LED杀毒平面光源
日前一期刊报道厦门大学康俊勇教授、尹君副教授课题组根据致病菌中遗传物质、蛋白质的紫外光吸收特性,开发了一种由275-nm氮化物LED组成的大功率(3.2 W)且辐照均匀的平面光源,能够在1秒内完成对新冠病毒、H1N1流感病毒、金黄色葡萄球菌的有效杀灭。
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士兰微旗下士兰明镓完成A轮融资12亿
8月28日晚,士兰微公告称,公司拟与大基金二期、厦门海创发展基金合伙企业(有限合伙)(筹)(下称“海创发展基金”),以货币方式共同出资12亿元认缴关联参股公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(下称“士兰明镓”)本次新增注册资本11.9亿元。
士兰微 2023-09-06 -
鼎镓半导体深紫外LED项目入围南湖区重点项目名单
近日,鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外LED芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。
鼎镓半导体 2023-08-15 -
鼎镓半导体携国内首张6英寸高功率深紫外LED外延片亮相第九届上交会
近日,浙江鼎镓半导体携手相关紫外LED产品亮相第九届中国(上海)国际技术进出口交易会。如国内首张6英寸高功率深紫外LED外延片以及一系列深紫外LED芯片应用产品。
鼎镓半导体 2023-06-27 -
澳大利亚公司UV-C LED材料技术获突破,性能远超传统氮化铝镓
Silanna UV在利用纳米结构生产UV-C LED技术方面取得了重大突破。据悉,该公司开发出的一种新工艺有望使深紫外线和远紫外线LED更容易制造,在波长更短的情况下效率更高,而且更可靠。
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碳化硅基氮化镓GaN-on-SiC为 5G 铺平道路
文章旨在为读者介绍与从 4G 到 5G 就绪和 5G 技术的服务与基站升级所带来的需求变化和设计挑战等相关背景。讨论中包括了一些关键细节,这些细节解释了 mMIMO 天线是如何成为新常态的,以及新的通信技术在部署5G服务以满足 3GPP 规范和用户日益增长的期望时是必不可少的。
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深圳大学材料学院刘新科:基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
氮化镓材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐照等优越性能;切合国家 “新基建”的国家战略需求,例如5G/6G、智能电动汽车,大数据中心等,氮化镓是支持新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。
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利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片,将 microLED 应用于硅产业领域
近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性
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【极智课堂】苏州镓敏光电周东:紫外光电探测技术与应用
当前,新型冠状病毒仍在持续,对产业及企业造成了一定程度的影响,也牵动着各行各业人们的心。在此形势下,中国半导体照明网、极智头条,在国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下,开启疫情期间知识分享,帮助企业解答疑惑
光电 2020-02-27 -
南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心教授江风益:从硅基氮化镓LED进展看半导体照明未来
2019年11月25日下午,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。本届论坛由国家半导体照明工程
半导体照明未来 2019-11-27 -
碳化硅VS氮化镓,宽禁带半导体材料双雄能否带中国实现弯道超车?
在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷,但是你每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说,今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分,那就是半导体材料。
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Veeco携ALLOS提供200mm硅基氮化镓microLED应用
Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为microLED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。
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最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板
目前,随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展,从2017到2018就可以看出,整体国内LED有了突飞猛进的进展,功率也是越来越大,开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。
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氮化镓基板LED厂商Sorra照明案例欣赏
氮化镓基板(GaN on GaN)LED技术全球领先厂商Soraa今日宣布其LED灯具将成为Maibom创新中心(Innovation Center)家纺设计展示和协作工作室美化照明面料选择。
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美国公司Soraa拟开设氮化镓基板LED制造工厂
据报道,美国公司Soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)LED制造工厂。
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IHS预测:2013年氮化镓LED出货单位将超过1000亿
IHS研究公司预计,2013年将有超过1000亿件氮化镓LED单元的出货,且来自于氮化镓LED产品的收益将超过100亿美金。
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极特与Soitec签订开发及许可协议低成本氮化镓衬底HVPE系统
极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一项开发及许可协议,根据该协议,GT将开发、生产和商业化大容量多晶圆HVPE系统。
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最大氮化镓LED MOCVD反应器诞生 LED制造成本有望下降
来自AIXTRON SE公司官方网发布的消息,AIXTRON SE最新推出的CRIUS II-L MOCVD反应器将MOCVD反应器的容量,生产能力和LED生产成本都提升到新的高度,成为世界上最大容量的MOCVD反应器。
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