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【热点聚焦】垂直结构LED已准备好进军市场

Glo纳米芯片的SEM可显示单个(变焦)纳米线[Glo]

  Glo尚未公开发布技术规范—根据保密协议,该资料只能提供给持有样品设备的客户—但Gardner声称绿色及蓝色器件的整体性能与目前的商业平面器件一样。

  “我们的绿色设备的量子效率峰值在市场上可买到的绿色设备效益峰值的10%以内,而我们的蓝色LED的内量子效率与最先进的平面商业蓝色[器件]相当”,他说道。“而来自该些器件的可靠性数据显示它们符合客户的正常需求”。

  截至目前,Glo一直专注于在宝石蓝衬底上装配LED。尽管Gardner声称纳米线LED生产可与大面积的硅衬底兼容,但在可预见的未来时间里,该公司的精力将继续放在蓝宝石上。

  “总体来说,与平面结构相比,纳米线设备的结构十分适合装配在大面积的硅衬底上,我们不主张加入缓冲层,因为这样会使事情复杂化,也要增加相应的成本”,他解释道。“但是直到研发出直径为8英寸的硅衬底,生产平面LED的公司才意识到硅其实更具成本优势。因此,一旦设备容积增大及有这方面的需求,我们将会考虑用硅。”

  质量或成本?

  在今年三月份,位于美国的纳米线LED生产商及Glo的劲敌Aledia使在8英寸的硅晶片上装配硅基LED原型微丝GaN产品亮相。客户样品预期在2014年年初上市。

  当时,行政总裁Giorgio Anania向《化合物半导体》透露,这种LED的生长速度比平面GaN LED的生长速度快三倍以上,成本可能会比传统的设备少约四倍,但他的公司并不把高性能市场作为其目标市场。

  他表示:“首先,我们不会提供最佳的每瓦流明数,因为许多应用设备并不需要。我们真正需要的是每投入一美元能实现最佳流明数”。

  很显然,Glo正在采用不同的策略。Gardner表示他的公司生产纳米设备的速度与生产平面LED的公司的生产速度不相上下,目前来看,只是成本的问题。

  “最后,这种LED设备可能会比平面LED更便宜,但是我们认为我们不会在未来的一年到一年半的时间里提出这种解决方案”,他说。”使用纳米线拓扑结构的LED,把实现所有的颜色的可见光谱作为一个平台产生突破性的性能,是我们的一贯方针。我们的真实愿望是超出平面性能的LED。”

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