“价格和产能”双重压力 LED芯片“国产化”再下一城？

2014-07-08 00:01

　　LED芯片走过前几年产能过剩引起的低迷期后，随着下游LED照明市场需求的起量，开始复苏。过去的2014年上半年，LED照明产业由于下游应用市场需求的快速增长，给整个上游带来了供不应求的短期利好。去年到今年上半芯片市场的供不应求导致多家芯片企业开始了新一轮的扩产。

　　市场的快速升温，让大陆LED外延芯片企业的研发能力得到很大的提升，尤其是市场需求放量在今年上半年让很多企业重拾信心，但价格和产能压力依然存在。尤其是上游在市场拐点所面临的扩产与不扩产的僵持状态，促使行业整合趋势愈发明显。但是所谓的“瘦死的骆驼比马大”，更何况如今的国外巨头在LED芯片逐步国产化的初始阶段，已经扎根在中国市场，作为国产LED芯片企业要想跟外国大咖分市场，我们更应该知道自己的不足在哪？

　　一直以来，都说国产的芯片与国外的芯片差距很大，究竟为什么国产的企业很多用的都是国外的设备，在工艺上没有国外那么先进，那差别究竟有多大？企业是否自知？又有怎样的解决方法，从今年的世界杯，小编我在想国产LED芯片的究竟只能在LED行业踢“中超”，还是能走出国门踢“世界杯”呢？

昨天上午在OFweek半导体照明网上看到一则关于LED芯片企业上海蓝光的报道。从这篇报道上，让小编我对于目前上游芯片市场的火热感到些担忧，中国的芯片市场是怎样的？未来又应该怎么呢？小编我为了更深入了解国内外的芯片企业差距在哪？如何应对....等问题，浅析了下目前在技术层次的差异。

　　技术差异之衬底

　　目前国内外有很多LED芯片厂家，但国内外技术对比方面，国外芯片技术新，国内芯片重产量不重技术。

　　据了解，目前LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外，氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。虽然市面上大多都是采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，但是这两种材料价格非常昂贵，且都被国外大企业所垄断，而硅衬底不仅具有价格优势，也可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，中国LED企业更多开始着手硅衬底材料的研究。但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。

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