从衬底角度看，主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅，但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战相对严重的国内市场来说，硅衬底更有成本和价格优势：硅衬底是导电衬底，不但可以减少管芯面积，还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤，加之，硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低，在加工方面也可以节省一些成本。

　　目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。

　　在国外，欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破，飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中，在2011年，美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED，取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W；在2012年，欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。

　　反观中国内地，LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术，除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破，目前中国内地LED芯片企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术，三安光电、德豪润达、同方股份等内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。

　　技术差异之芯片结构

　　从目前的芯片结构看，目前LED芯片结构主要有三种，最常见的是正装结构，其次是垂直结构和倒装结构。正装结构由于p，n电极在LED同一侧，容易出现电流拥挤现象，而且热阻较高，而垂直结构则可以很好的解决这两个问题，可以达到很高的电流密度和均匀度。未来灯具成本的降低除了材料成本，功率做大减少LED颗数显得尤为重要，垂直结构能够很好的满足这样的需求。这也导致垂直结构通常用于大功率LED应用领域，而正装技术一般应用于中小功率LED。而倒装技术也可以细分为两类，一类是在蓝宝石芯片基础上倒装，蓝宝石衬底保留，利于散热，但是电流密度提升并不明显；另一类是倒装结构并剥离了衬底材料，可以大幅度提升电流密度。

　　据了解，垂直结构主要是以科锐与欧司朗为代表，金属衬底的旭明，还有执着于硅衬底的普瑞东芝与晶能，以及很多日本厂商与中村修二先生在研发的氮化镓同质结构的企业。倒装结构（flipChip），主要是飞利浦Luminled，晶科为代表，还有台湾很多芯片厂，甚至科锐，这块的技术与良率也在不断地成熟中。而蓝宝石衬底结构，是目前LED的主流，几乎每家公司都以这个结构为基础做很大的改善，前面说的16年进步一千倍，就是一直以这种结构不断改善的。

　　而在国内市场上，能跟国外巨头争锋的企业目前国内主要有以三安、德豪润达为首的龙头企业，其中还有像华灿、乾照、圆融、华磊等一批根深蒂固的国产上市企业。但是随着LED照明市场爆发期来临，国内的led芯片企业，涌现出一批新星。其中，跨领域的企业大头有澳洋顺昌、新海宜、广东甘化旗下的德力光电等强大资金背景的企业，还有一批即将上市的新星芯片企业，主要有晶能光电、映瑞光电和国企背景的福地科技与外企合资的福地兆芯等。