?DMOS产品，应用于电子镇流器、电子变压器、开关电源等。

相较于数字 IC 多采用 CMOS 工艺，模拟 IC 工艺种类较多，模拟 IC 的工艺类别有Bipolar、 BiCMOS、 CMOS、CD、 BCD 等工艺， 在高频领域 BiCMOS 等工艺能与 SiGe 和 GaAS 工艺结合；在功率领域， BCD、绝缘硅（ SOI）等工艺也有良好的表现。而数字 IC 设计者基本上不用考虑工艺问题。

数字IC多采用CMOS工艺，而模拟IC很少采用CMOS工艺。因为模拟IC通常要输出高电压或者大电流来驱动其他元件，而CMOS工艺的驱动能力很差。

此外，模拟IC最关键的是低失真和高信噪比，这两者都是在高电压下比较容易做到的。而CMOS工艺主要用在5V以下的低电压环境，并且持续朝低电压方向发展。

因此，模拟IC早期使用Bipolar工艺，但是Bipolar工艺功耗大，因此又出现BiCMOS工艺，结合了Bipolar工艺和CMOS工艺两者的优点。另外还有CD工艺，将CMOS工艺和DMOS工艺结合在一起。而BCD工艺则是结合了Bipolar、CMOS、DMOS三种工艺的优点。

在高频领域还有SiGe和GaAS工艺。这些特殊工艺需要晶圆代工厂的配合，同时也需要设计者加以熟悉。

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double－diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double－diffused MOSFET）。

目前的发展趋势是BCD工艺。BCD工艺的特点是将硅平面工艺用到功率集成上，是一种可以将双极、CMOS和DMOS器件同时集成到单芯片上的技术。

在功率应用领域，与传统的双极功率工艺相比，BCD工艺具有显著的优势，最基本的优势就是使得电路设计者可以在高精度模拟的双极器件，高集成度的CMOS器件和作为功率输出级的DMOS器件之间自由选择。

由于DMOS具有高效率（低损耗）、高强度（无二次击穿）、耐高压和固有的源漏二极管的存在（作用类似续流二极管）和高速的开关特性，因此，DMOS特别适合作为功率开关器件，而且其制造工艺可以和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有利于功率集成。整合好的BCD工艺可大幅降低功耗，提高系统性能，增加可靠性和降低成本。

这块的竞争对手有华虹半导体（HK：01347）、华润微（ 688396．SH）等。其中，华润微DMOS、BCD、MEMES等工艺的 6 英寸晶圆代工产能在国内居于前列，有3条 6 英寸产线。

华虹半导体（HK：01347）旗下的华虹宏力拥有先进的电源管理 IC 工艺平台，主要包括高集成度的 BCD（Bipolar， CMOS 和 DMOS）和CDMOS，技术制程在 0．13μ m－0．8μ m 节点区间，可广泛应用于音频功放、室内外照明、电源管理、工业控制、汽车电子等领域，特别是 DC－DC 转换器、 AC－DC 转化器、 LED 照明和电池管理等产品。公司是目前国内出货量最大的 LED 驱动芯片代工厂家。

?功率双极晶体管，应用于节能灯、电子镇流器、电子变压器、开关电源。

功率器件市场中，MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管，属于MOS 类晶体管）和双极晶体管是最主要的三个细分市场，合计占比超过90％。其中MOSFET和IGBT随着下游新应用的推动，发展十分迅速。

双极性晶体管是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。具体包括双极型功率晶体管、可控硅、放电管等。

?功率二极管，分为肖特基二极管（ SBD）和快恢复二极管，应用于低压高频逆变电路、续流电流、保护电流。

整流类二极管， 包括肖特基二极管、快恢复二极管、硅整流二极管、整流桥等。

肖特基功率二极管作为较基础的功率器件，在电路中主要是作整流二极管、续流二极管、保护二极管等，主要用在低电压、大电流的电路中，如开关电源、变频器、逆变器、微波通信，可应用于太阳能电池、开关电源、汽车以及手机等领域。

碳化硅材料的肖特基功率二极管可广泛应用于新能源汽车／混合动力汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、船舶运输、铁路运输、智能电网等领域。立昂微（SH：605358） 的光伏专用肖特基二极管占全球 45％份额。其他竞争对手还有韦尔股份（603501） 、华润微（688396）、士兰微（600460．SH）、扬杰科技（300373．SZ）等。

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

一般IGBT模块中都含有快恢复二极管，如果是IGBT单管的话，型号编码中电流数值后面含有“D”字母的话就代表内含快恢复二极管。IGBT模块中的快恢复二极管的作用是当电感突然断电的话，会放出很多电，没有续流二极管的话容易烧坏回路中的IGBT，有了快恢复续流二极管其电就会通过续流二极管回路（相当于电感短路）放电，不至于烧坏IGBT。竞争对手有斯达半导（603290．SH）、中芯国际、捷捷微电（ 300623．SZ ）等。

功率二极管技术成熟、市场进入门槛低，注重的是生产流程和成本控制。目前龙头大厂为ishay，市占 11．7％，而排名 2～7 名的市占为 5％～8％，与第一差距不是非常明显。由于生产工艺技术门槛相对低，中国有人力成本优势，因此本土企业可具一定竞争力。